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國產(chǎn)新潔能MOSFET NCEP25N10AK:高頻開關(guān)和同步整流的理想選擇
隨著電子設(shè)備對高效能、高功率密度的需求日益增長,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化成為技術(shù)突破的關(guān)鍵。國產(chǎn)品牌新潔能推出的N溝道SGT-II系列功率MOSFET NCEP25N10AK,憑借其超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、超低柵極電荷(Qg)以及高頻開關(guān)特性,成為高頻開關(guān)和同步整流領(lǐng)域的理想選擇。
NCEP25N10AK主要參數(shù):
- 漏源電壓(Vds):100V
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on)):21mΩ @ VGS=10V;26mΩ @ VGS=4.5V
- 連續(xù)漏極電流(Id):35A
- 脈沖漏極電流(IDM):140A
- 功率(Pd):105W
- 工作溫度范圍:-55℃~+175℃
- 封裝形式:TO-252-2L
NCEP25N10AK性能特點:
- 超低導(dǎo)通損耗:作為 SGT-II系列功率MOSFET產(chǎn)品之一,NCEP25N10AK具有超低的導(dǎo)通電阻(Ron,sp),相比于新潔能上一代SGT-I系列產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻降低了20%,結(jié)合更低的FOM值,提升系統(tǒng)效率。
- 高頻開關(guān)性能: 極低的柵極電荷(Qg)和優(yōu)化的寄生電容設(shè)計,使開關(guān)速度更快、損耗更低。
- 高可靠性:采用先進的Super Trench II技術(shù),具備良好的抗沖擊能力和短路耐受能力。
- 緊湊的封裝設(shè)計:TO-252-2L封裝尺寸小,散熱性能好,能夠在較小的體積內(nèi)提供較高的功率。
NCEP25N10AK應(yīng)用場景:
- 同步整流:在AC/DC適配器、服務(wù)器電源中替代傳統(tǒng)二極管,減少死區(qū)電壓損耗,提升轉(zhuǎn)換效率。
- 高頻開關(guān)電源:用于開關(guān)電源(SMPS)、DC/DC轉(zhuǎn)換器,通過快速開關(guān)降低磁元件體積,實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。
- 電機驅(qū)動與電池管理:驅(qū)動直流電機或鋰電池保護電路,利用低導(dǎo)通電阻減少發(fā)熱,延長電池壽命,并支持大電流快速關(guān)斷以應(yīng)對短路風險。
新潔能NCEP25N10AK MOSFET通過SGT-II技術(shù)的革新,在高頻開關(guān)效率、系統(tǒng)可靠性及設(shè)計靈活性上實現(xiàn)了顯著突破。其核心優(yōu)勢在于低損耗、高頻率響應(yīng)與多場景適配能力,尤其適合對能效和空間要求嚴苛的同步整流、電機控制及電源管理應(yīng)用。對于工程師而言,該MOSFET不僅能夠簡化設(shè)計復(fù)雜度,更能為終端產(chǎn)品賦予更高的市場競爭力。
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