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電子元器件整合供應商

解決方案

作為致力成為最具價值的電子元器件整合供應商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強大整合能力。公司擁有專門技術團隊，建有電子元器件例行試驗室，能為客戶提供全方位的技術咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測等增值服務。

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產品介紹

發布時間：2025-07-17 品牌：上海貝嶺(BELLING) 瀏覽量：19

在工業自動化、新能源應用和高效電源系統蓬勃發展的今天，對功率半導體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內領先的模擬及功率半導體供應商，始終致力于核心工藝技術的創新與突破，持續迭代升級IGBT和MOSFET技術平臺，通過精密的芯片結構設計、優化的制造工藝和先進的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產品。這些產品旨在滿足嚴苛應用環境下的高效率運行和長期穩定需求，為客戶提供更具競爭力的系統級解決方案。以下是上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產品介紹：


650V 系列 IGBT 產品：

    • 10A~75A系列

      • 基于貝嶺第6代Trench FS IGBT工藝平臺，采用3μm pitch微溝槽工藝。
      • 正面通過精密調控 “Gate溝槽 + dummy溝槽” 比例，背面應用優化的H FS工藝，實現優異的 Vcesat-Eoff 折衷性能 與強大的短路能力。
      • 終端采用優化的“FLR+場板技術”，確保最高工作結溫175℃ 下的可靠性，并通過 HV-H3TRB 加嚴測試。

  • 80A~200A系列

    • 升級至第7代Trench FS IGBT工藝平臺，采用更精細的 1.6μm pitch微溝槽工藝。
    • 正面通過優化 “Gate溝槽 + E短接溝槽 + dummy溝槽” 三種溝槽設計比例，結合優化的H FS工藝，實現足夠低的Vcesat、良好的開關損耗及滿足電機驅動需求的短路能力。
    • 終端采用優化的“VLD技術”，提升芯片利用率的同時，保障175℃結溫工作能力及通過 HV-H3TRB 可靠性驗證。


40V SGT MOS 產品：

  • 基于最新的低壓SGT工藝平臺，采用紅磷襯底及 HDP（高密度等離子體）工藝。紅磷襯底電阻率顯著低于傳統材料，HDP工藝實現高密度元胞，有效降低溝道電阻與整體導通電阻(Rdson)。
  • 高密度設計下晶圓仍可安全減?。ǚ莟aiko），進一步降低襯底電阻。

  • 封裝 (PDFN5*6)

    • 常規鋁帶鍵合：封裝電阻優于鋁絲，成本效益高。
    • 銅片Clip Bonding：大幅降低封裝電阻，提升過流能力。


80~150V SGT MOS 產品：

  • 基于最新的中高壓SGT工藝平臺，采用雙層外延(EPI) 設計優化電場分布，在保持擊穿電壓(BV) 的同時降低導通電阻(Rdson)。

  • 80~100V系列

    • 精密工藝實現高密度元胞與晶圓減?。ǚ莟aiko），降低襯底電阻。

  • 150V系列

    • 應用 HDP工藝 實現高密度元胞，有效降低溝道電阻與柵電荷(Qg)。


南山電子是上海貝嶺公司授權代理商，歡迎咨詢選購上海貝嶺上海貝嶺IGBT與MOSFET系列產品，如需產品詳細的規格書或最新報價，請咨詢南山半導體官方網站在線客服。